磁控溅射的三个运行条件

磁控溅射的三个运行条件

　磁控溅射的三个条件

　　磁控气体放电开始溅射有三个条件

　　（1）它具有适合的放电气压P:DC或脉冲，如果是磁控管放电，约0.1pA~10Pa），典型值为5x10-1pA；射频磁控管放电约为10-1~10-2Pa。

　　（2）其次，磁控管靶具有一定水平（或等效水平）的磁场强度B（约10MT~100MT），典型值为30~50mt，较小值为10~20MT（100~200高斯）。

　　（3）第三，在真空腔内，存在一个与磁场正交（或等效）的电场v，其典型值为500-700v。

　　我们称上述三个条件为p-b-v。

　　离子镀

　　（1）离子镀与其它镀层类型的主要区别在于，在基体和工件上是否施加负偏压（直流或脉冲），以及负偏压是否用来吸引和加速离子。蒸发镀时基体和工件上的负偏压为蒸发离子镀；多弧镀时基体和工件上的负偏压为多弧离子镀；发生反应时基体和工件上的负偏压为离子镀，这是离子镀技术的一个重要特点。

　　（2）离子镀是磁控溅射与离子镀相结合的技术。在同一真空室中，可以实现氩离子在磁控靶上的稳定溅射，实现在衬底负偏压下轰击、溅射、注入和沉积高能靶离子的过程。在整个镀膜过程中，基体和工件表面都有离子轰击，能有效地去除基体和工件表面的气体和污垢，使膜层表面保持清洁。

　　（3）离子镀可在膜基界面形成明显的混合过渡层（假扩散层），增加膜层的结合强度，在膜层与工件之间形成金属间化合物和固体熔体，实现材料的表面合金化，甚至产生新的晶体结构。

　　（4）该复合膜具有结合力好、涂层包裹性好、膜结构参数可控、膜粒子总能量高、易反应沉积等优点，可在较低的温度下制备。

　　（5）磁控溅射离子镀可清理薄膜的柱状晶结构，形成均匀的颗粒晶结构。